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电子元器件详细资料 » IC[27452] » SPB80N06S2L-09
型号:SPB80N06S2L-09类别:FET - 单制造商:Infineon Technologies
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
系列OptiMOS™
制造商Infineon Technologies
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)55V
电流_连续漏极(Id)0a025000C80A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C8.5 毫欧 @ 52A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222V @ 125µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs105nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds3480pF @ 25V
功率_最大190W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装P-TO263-3
包装带卷 (TR)

供应商

现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
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SPB80N06S2L-09相关型号

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